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增强型场效应管（通常称为增强型MOS管或MOSFET）是一种特殊的晶体管，它在没有外加电压（即UGS=0）的情况下没有导电通道，只有在施加一定的栅极电压（UGS）时，才会形成导电通道（即沟道），这是它与耗尽型场效应管的主要区别，对于增强型场效应管来说，当UGS=0时，其内部没有导电通道，因此其漏极电流（ID）必然为0。
至于“|ID|≠0的必要条件”，在增强型场效应管中，为了使漏极电流ID不为零（即让管子导电），必须对其施加正向栅极电压，这个正向栅极电压会诱导形成导电沟道，使得漏极和源极之间有电流通过，对于增强型场效应管来说，“|ID|≠0”的必要条件就是施加适当的正向栅极电压。
解释基于基本的半导体物理和器件物理知识，在实际应用中，还需要考虑其他因素，如温度、制造工艺等，这些因素都可能影响场效应管的性能。